參數(shù)資料
型號： 2SK3812-ZP
元件分類： JFETs
英文描述： 110 A, 60 V, 0.0037 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263, MP-25ZP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大小： 270K
代理商： 2SK3812-ZP
Data Sheet D16738EJ1V0DS
5
2SK3812
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
R
DS(
on)
-Drain
to
S
ource
On
-state
Re
sistance
-m
0
1
2
3
4
5
6
-75
-25
25
75
125
175
10 V
VGS = 4.5 V
Pulsed
Tch - Channel Temperature - °C
C
is
s,
C
os
s,
C
rss
-Capacitance
-pF
100
1000
10000
100000
0.1
1
10
100
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Ciss
Crss
Coss
VDS - Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
t
d(
on)
,t
r,t
d(
off)
,t
f-
Swi
tching
Time
-ns
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
VDD = 30 V
VGS = 10 V
RG = 0
td(off)
td(on)
tr
tf
ID - Drain Current - A
V
DS
-
D
rain
to
So
urce
Voltage
-
V
0
10
20
30
40
50
60
0
50
100
150
200
250
300
0
2
4
6
8
10
12
ID = 110 A
VDS
VGS
VDD = 48 V
30 V
12 V
QG - Gate Charge - nC
V
GS
-
Gate
to
So
urce
Voltage
-
V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
I
F-
Diode
Fo
rwa
rd
Curren
t-
A
0.1
1
10
100
1000
00.511.5
0 V
VGS = 10 V
Pulsed
4.5 V
VF(S-D) - Source to Drain Voltage - V
t
rr-
Rev
ers
eRec
ov
ery
Ti
me
-ns
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
di/dt = 100 A/
s
VGS = 0 V
IF - Diode Forward Current - A
相關PDF資料
PDF描述
2SK3812-ZP 110 A, 60 V, 0.0037 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
2SK3814 60 A, 60 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
2SK3817 60 A, 60 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3818 74 A, 60 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3823 40 A, 60 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3812-ZP-A E2 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK3812-ZP-E1-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK3812-ZP-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3812-ZP-E1-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK3813-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V MP-3/TO-251 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*