- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄358643 > 3SK309 (Hitachi,Ltd.) GaAs N Channel Dual Gate MES FET UHF RF Amplifier PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 3SK309 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | GaAs N Channel Dual Gate MES FET UHF RF Amplifier |
| 中文描述： | 砷化鎵?頻道雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管超高頻射頻放大器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 59K |
| 代理商： | 3SK309 |
3SK309
8
Unit : Resistance ( )
Capacitance (F)
4
6
32
L1 :
L2 :
25
5
120
°
90
°
7
6
6
26
L3 :
L4 :
21
6
120
°
90
°
7
L1 to L4 : 1 mm copper wire
Unit : mm
RFC : 3 turn, 6 mm inside dia ( 1 mm enameled copper wire)
Power Gain, Noise Figure Test Circuit
V
G2
D
V
1000 pF
1 k
RFC
47 k
1000 pF
1000 pF
L3
L4
10 p max
Output
(50 )
47 k
1000 pF
L1
L2
Input
(50 )
10 p max
V
G1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3SK317 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier |
| 3SK318 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier |
| 3SK319 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier |
| 3SK320 | N CHANNEL DUAL GATE MES TYPE (UHF BAND LOW NOISE AMP, MIX) |
| 3SK321 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 3SK317 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier |
| 3SK317ZR(TL-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 3SK317ZR-TL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier |
| 3SK318 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier |
| 3SK318YB(TL) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。