參數(shù)資料
型號： 4AK27
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅?通道場效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 53K
代理商： 4AK27
4AK27
4
Main Characteristics
6
0
100
50
150
Maximum Channel Dissipation Curve
Channel
Dissipation
Pch
(W)
Ambient Temperature Tc (°C)
4
2
Condition : Channel Dissipation of
each die is identical
4 Device Operation
3 Device Operation
2 Device Operation
1 Device Operation
30
0
100
50
150
Maximum Channel Dissipation Curve
Channel
Dissipation
Pch
(W)
Case Temperature Tc (°C)
20
10
Condition : Channel Dissipation of
each die is identical
4 Device Operation
3 Device Operation
2 Device
Operation
1 Device
Operation
10
8
6
4
2
0
24
6
8
10
Drain to Source Voltage
V
(V)
DS
Drain
Current
I
(A)
D
Pulse Test
3 V
Typical Output Characteristics
V
= 2 V
GS
2.5 V
10 V
5 V
4 V
3.5 V
10
8
6
4
2
0
123
4
5
Gate to Source Voltage
V
(V)
GS
Drain
Current
I
(A)
D
V
= 10 V
Pulse Test
DS
Typical Transfer Characteristics
Tc = 25 °C
–25 °C
75 °C
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PDF描述
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4AM02MH5 High-side Switch
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