參數(shù)資料
型號(hào)： 4AK27
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 53K
代理商： 4AK27
4AK27
6
5
10
500
200
100
50
20
Reverse Drain Current
I
(A)
DR
Reverse
Recovery
Time
trr
(ns)
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
di/dt = 50 A/
s, Ta = 25 °C
V
= 0, Pulse Test
GS
10
0
Capacitance
C
(pF)
Drain to Source Voltage V
(V)
DS
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
1000
200
500
100
20
50
10
20
30
40
50
Ciss
Coss
Crss
V
= 0
f = 1 MHz
GS
100
80
60
40
20
0
Gate Charge
Qg (nc)
Drain
to
Source
Voltage
V
(V)
DS
20
16
12
8
4
0
Gate
to
Source
Voltage
V
(V)
GS
Dynamic Input Characteristics
4
8
12
16
20
VGS
DS
V
= 50 V
25 V
10 V
DD
V
= 10 V
25 V
50 V
DD
I
= 5 A
D
Drain Current
I
(A)
D
Switching
Time
t
(ns)
0.1
Switching Characteristics
500
200
100
20
10
5
50
0.2
0.5
1
2
5
10
V
= 10 V, V
= 30 V
PW = 5 s, duty < 1 %
GS
DD
t f
r
t
d(on)
t
d(off)
t
相關(guān)PDF資料
PDF描述
4ALS520 8-BIT IDENTITY COMPARATORS
4AM01MH5 High-side Switch
4AM02MH5 High-side Switch
4AM03MH5 4AM03MH5
4AM04MH5 4AM04MH5
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參數(shù)描述
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