參數(shù)資料
型號： 934055383112
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 9/15頁
文件大?。?/td> 154K
代理商： 934055383112
2003 Feb 27
3
Philips Semiconductors
Product specication
UHF power LDMOS transistor
BLF2045
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Thermal resistance is determined under specified RF operating conditions.
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
UNIT
VDS
drain-source voltage
65
V
VGS
gate-source voltage
±15
V
ID
drain current (DC)
4.5
A
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Tj
junction temperature
200
°C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth j-h
thermal resistance from junction to heatsink
Ptot = 87.5 W; Th =25 °C; note 1
2.1
K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
05W18 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT06; Number of Contacts:26; Connector Shell Size:16; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight
934055384112 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
934055384135 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
934055388112 5 MHz - 120 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER
934055389112 5 MHz - 200 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER
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參數(shù)描述
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