參數(shù)資料
型號： 934055388112
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 放大器
英文描述： 5 MHz - 120 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER
封裝： SOT-115C, 7 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 29K
代理商： 934055388112
Philips Semiconductors
BUK9523-75A; BUK9623-75A
TrenchMOS logic level FET
Product specication
Rev. 01 — 10 October 2000
7 of 15
9397 750 07582
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
ID = 1 mA; VDS =VGS
Tj =25 °C; VDS =VGS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
Tj =25 °C; VDS =25V
VGS = 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
03na17
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
-20
20
60
100
140
180
max
typ
min
V
GS(th)
T
j
(
o
C)
(V)
03aa36
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
max
typ
min
I
D
V
GS
(V)
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
(A)
03nb13
0
10
20
30
40
50
60
0
2040
6080
ID (A)
gfs
(S)
03nb18
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
0.01
0.1
1
10
100
VDS(V)
C (pF)
Ciss
Coss
Crss
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PDF描述
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