參數(shù)資料
型號(hào)： 934055576127
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
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代理商： 934055576127
Philips Semiconductors
Preliminary specification
Silicon Diffused Power Transistor
PHE13009
Fig.1. Test circuit for V
CEOsust.
Fig.2. Oscilloscope display for V
CEOsust.
Fig.3. Test circuit resistive load. V
IM = -6 to +8 V
V
CC = 250 V; tp = 20 s; δ = tp / T = 0.01.
R
B and RL calculated from ICon and IBon requirements.
Fig.4. Switching times waveforms with resistive load.
Fig.5. Test circuit inductive load.
V
CC = 300 V; -VBE = 5 V; LC = 200 uH; LB = 1 uH
Fig.6. Switching times waveforms with inductive load.
+ 50v
100-200R
Horizontal
Vertical
Oscilloscope
1R
6V
30-60 Hz
300R
IC
IB
10 %
90 %
ton
toff
ts
tf
IBon
-IBoff
ICon
tr
30ns
VCE / V
min
VCEOsust
IC / mA
10
100
250
0
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
tp
T
VCC
R
T.U.T.
0
VIM
B
L
IC
IB
ICon
IBon
-IBoff
t
ts
tf
toff
10 %
90 %
March 1999
3
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
934055586115 900 MHz - 1800 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND LOW POWER AMPLIFIER
934055627115 VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET
05W5 Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT06; Number of Contacts:23; Connector Shell Size:16; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Pin; Insert Arrangement:16-99
934055636118 20 A, 30 V, 0.056 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
934055638127 75 A, 55 V, 0.0067 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO220-AB
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參數(shù)描述
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934055788118 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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