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APTC60HM70T1G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • APTC60HM70T1G
    APTC60HM70T1G

    APTC60HM70T1G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP1

  • 23+

  • -

  • 微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • APTC60HM70T1G
    APTC60HM70T1G

    APTC60HM70T1G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 18+

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • APTC60HM70T1G
    APTC60HM70T1G

    APTC60HM70T1G

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條 
  • 1
APTC60HM70T1G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET PWR MOD BULL BRIDGE SP1
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTC60HM70T1G 技術(shù)參數(shù)
  • APTC60HM70SCTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:39A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 39A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60HM70RT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個(gè) N 通道（H 橋）+ 橋式整流器 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:39A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 39A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:* 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60HM70BT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 FET 類型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:39A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 39A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:259nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60HM45T1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 49A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:49A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 24.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60HM45SCTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 49A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:49A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 22.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60VDAM24T3G APTC60VDAM45T1G APTC80A10SCTG APTC80A15SCTG APTC80A15T1G APTC80AM75SCG APTC80DA15T1G APTC80DDA15T3G APTC80DDA29T3G APTC80DSK15T3G APTC80DSK29T3G APTC80H15T1G APTC80H15T3G APTC80H29SCTG APTC80H29T1G APTC80H29T3G APTC80SK15T1G APTC80TA15PG
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