APTC80A10SCTG

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

APTC80A10SCTG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
SP4
23+
-
微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

APTC80A10SCTG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原裝

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條
1

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功能描述
MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP4
RoHS
是
類別
半導(dǎo)體模塊 >> FET
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
10
系列
*

APTC80A10SCTG 技術(shù)參數(shù)

APTC60VDAM45T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:49A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 24.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60VDAM24T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:95A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 47.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:300nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60TDUM35PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:72A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 72A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:518nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60TAM35PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:72A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 72A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:518nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60TAM24TPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:95A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 47.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC80H15T3G APTC80H29SCTG APTC80H29T1G APTC80H29T3G APTC80SK15T1G APTC80TA15PG APTC80TDU15PG APTC90AM602G APTC90AM60SCTG APTC90AM60T1G APTC90DAM60CT1G APTC90DAM60T1G APTC90DDA12T1G APTC90DSK12T1G APTC90H12SCTG APTC90H12T1G APTC90H12T2G APTC90HM60T3G