參數(shù)資料
型號： AGR09090EF
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 14/14頁
文件大?。?/td> 484K
代理商： AGR09090EF
AGR09090EF
W, 865 MHz—960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics (continued)
Test Conditions:
VDD = 26 V, FREQUENCY = 940.5 MHz.
Figure 8. Efficiency vs. POUT, 921 MHz—960 MHz
Test Conditions:
VDD = 26 V, EDGE FORMAT, IDQ = 700 mA, POUT = 40 W.
Figure 9. Modulation Spectrum, Gain, and Efficiency vs. Frequency, 921 MHz—960 MHz
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95 100 105 110 115 120 125 130
POUT (W)Z
E
F
IC
IE
N
C
Y
(%
)Z
IDQ = 1100 mA
IDQ = 800 mA
TYPICAL DATA
-76
-75
-74
-73
-72
-71
-70
-69
-68
-67
-66
-65
-64
-63
-62
-61
-60
-59
-58
920
925
930
935
940
945
950
955
960
FREQUENCY (MHz)Z
M
O
D
U
L
A
T
IO
N
SPEC
T
R
U
M
(d
B
c)
Z
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
33
36
39
42
45
48
51
54
57
G
A
IN
(d
B
)
A
N
D
E
F
IC
IE
N
C
Y
(%
)Z
+/- 400 kHz
TYPICAL DATA
+/- 600 kHz
GAIN
EFFICIENCY
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PDF描述
AGR09090EF UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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