參數(shù)資料
型號(hào)： AGR19125EF
廠商： LSI CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： FM-2
文件頁(yè)數(shù)： 10/11頁(yè)
文件大小： 225K
代理商： AGR19125EF
8
Agere Systems Inc.
125 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
April 2004
AGR19125E
Preliminary Data Sheet
Typical Performance Characteristics (continued)
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 V, F = 1960 MHz, 100 kHz TONE SPACING.
Figure 10. Third Order Intermodulation Distortion vs. Output Power
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 V, IDQ = 1250 mA, F = 1960 MHz, 100 kHz TONE SPACING.
Figure 11. Intermodulation Distortion Products vs. Output Power
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
10
100
1000
POUT, OUTPUT POWER (W) PEPS
IM
D
3
,
TH
IR
D
OR
D
E
R
IN
T
E
R
M
OD
U
L
A
T
IO
N
S
D
IS
T
OR
TI
ON
(
d
B
c
)S
IDQ = 900 mA
IDQ = 1250 mA
IDQ = 1500 mA
-80.0
-70.0
-60.0
-50.0
-40.0
-30.0
-20.0
-10.0
0.0
1.00
10.00
100.00
1000.00
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
IM
D
,IN
T
E
R
M
O
D
U
L
A
T
IO
N
D
IS
T
OR
T
ION
(
d
B
c
)S
5.0
10.0
15.0
20.0
25.0
30.0
35.0
40.0
45.0
50.0
DR
A
IN
E
F
IC
IE
N
CY
(%
)S
EFFICIENCY
3rd ORDER
5th ORDER
7th ORDER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AGR19125EU L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR21010EU L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR21010EU L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR21180EU S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR21180EU S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AGR19125EU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 1930 MHz-1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
AGR19180EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR19K180EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR21030EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR21045EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*