參數(shù)資料
型號： AGR19125EF
廠商： LSI CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： FM-2
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大小： 225K
代理商： AGR19125EF
4
Agere Systems Inc.
125 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
April 2004
AGR19125E
Preliminary Data Sheet
Typical Performance Characteristics
Figure 3. Series Equivalent Input and Output Impedances
MHz (f )
ZS
(Complex Source Impedance)
ZL
(Complex Optimum Load Impedance)
1930 (f1)
4.22 – j6.13
1.63 – j1.42
1960 (f2)
4.02 – j5.80
1.60 – j1.19
1990 (f3)
3.91 – j5.55
1.74 – j1.18
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
.7
0.7
0
.8
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
50
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
-140
-150
-160
170
-170
180±
90
-90
-8
5
-80
-75
-70
-65
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
0.0
4
0.05
0.0
6
0.07
0.08
0.09
0.1
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.1
7
0.1
8
0.1
9
0.2
1
0.2
2
0.23
0.24
0.25
0.26
0.27
0
.2
8
0.2
9
0.3
1
0.3
2
0.3
3
0.34
0.35
0.36
0.37
0.38
0.39
0.4
0.41
0.4
2
0.43
0.4
4
0.45
0.4
6
0
.47
0.48
0.49
0.0
A
N
G
L
E
O
F
T
R
A
N
S
M
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S
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C
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F
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F
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(-j
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),
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D
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T
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E
SU
SC
E
P
T
A
N
C
E
(-
jB
/
Y
o
)
RESISTANCE COMPONENT (R/Zo), OR CONDUCTANCE COMPONENT (G/Yo)
F
ZL
f3
f1
ZS
f3
f1
Z0 = 10
DUT
ZS
ZL
INPUT MATCH
OUTPUT MATCH
DRAIN (1)
SOURCE (3)
GATE (2)
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