參數(shù)資料
型號(hào)： AGR26045EF
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 373K
代理商： AGR26045EF
45 W, 2.535 GHz—2.655 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR26045EF
Typical Performance Characteristics
Figure 3. Series Equivalent Input and Output Impedances
MHz (f)
ZS
(
complex source impedance)
ZL
(
complex optimum load impedance)
2500 (f1)
13.4 – j9.0
7.2 – j7.1
2550 (f2)
12.8 – j9.3
6.7 – j7.1
2600 (f3)
12.2 – j9.5
6.2 – j6.5
2650 (f4)
11.6 – j9.6
5.7 – j5.9
2700 (f5)
11.1 – j9.7
5.4 – j5.4
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
50
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
-140
-150
-160
170
-170
180
±
90
-90
-85
-80
-75
-70
-65
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.17
0.18
0.19
0.2
0.21
0.22
0.23
0.24
0.25
0.26
0.27
0.28
0.29
0.3
0.31
0.32
0.33
0.34
0.35
0.36
0.37
0.38
0.39
0.4
0.41
0.42
0.43
0.44
0.45
0.46
0.47
0.48
0.49
0.0
A
N
G
L
E
O
F
T
R
A
N
SM
IS
SI
O
N
C
O
E
FF
IC
IE
N
T
IN
D
E
G
R
E
S
A
N
G
L
E
O
F
R
E
FL
E
C
T
IO
N
C
O
E
FF
IC
IE
N
T
IN
D
E
G
R
E
S
>
W
A
V
E
L
E
N
G
T
H
S
T
O
W
A
R
D
<
W
A
V
E
L
E
N
G
T
H
S
T
O
W
A
R
D
L
O
A
D
<
IN
D
U
C
T
CA
PA
CIT
IV
ER
EA
CT
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CE
CO
M
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N
T
(-j
X/
Zo
),
O
R
IN
D
U
C
TI
V
E
SU
SC
EP
TA
N
C
E
(-
jB
/
Y
o)
RESISTANCE COMPONENT (R/Zo), OR CONDUCTANCE COMPONENT (G/Yo)
F
ZS
f5
f1
ZL
f5
f1
Z0 = 25
DUT
ZS
ZL
INPUT MATCH
OUTPUT MATCH
DRAIN (1)
SOURCE (3)
GATE (2)
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PDF描述
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