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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29DL642G70MDI |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Simultaneous Read/Write Flash Memo |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 3.3V PROM MODULE, 70 ns, PBGA63 |
| 封裝： | 10.95 X 11.95 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 50/54頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 828K |
| 代理商： | AM29DL642G70MDI |
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48
Am29DL642G
June 10, 2005
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase and Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase And Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std.
Description
70
90
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
70
90
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
40
45
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
40
45
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
40
45
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Typ
7
μs
t
WHWH1
t
WHWH1
Accelerated Programming Operation (Note 2)
Typ
4
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.4
sec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29DL642G90I | 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Simultaneous Read/Write Flash Memo |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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