參數(shù)資料
型號(hào)： AM29DL642G
廠商： Advanced Micro Devices, Inc.
英文描述： 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Simultaneous Read/Write Flash Memo
中文描述： 128兆位（8米× 16位）的CMOS 3.0伏，只有同時(shí)讀/寫(xiě)閃存?zhèn)渫?/td>
文件頁(yè)數(shù)： 45/54頁(yè)
文件大?。?/td> 828K
代理商： AM29DL642G
June 10, 2005
Am29DL642G
43
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
OE#
CE# or CE2#
Addresses
V
CC
WE#
Data
2AAh
SA
t
AH
t
WP
t
WC
t
AS
t
WPH
555 h for chip erase
10 for Chip Erase
30h
t
DS
t
VCS
t
CS
t
DH
55h
t
CH
In
Progress
Complete
t
WHWH2
VA
VA
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data
RY/BY#
t
RB
t
BUSY
Notes:
SA = sector address (for Sector Erase), VA = Valid Address for reading status data (see “Write Operation Status”.)
Figure 17.
Chip/Sector Erase Operation Timings
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM29DL642G70I 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Simultaneous Read/Write Flash Memo
AM29DL642G70MDI 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Simultaneous Read/Write Flash Memo
AM29DL642G90I 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Simultaneous Read/Write Flash Memo
AM29DL642G90MDI 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Simultaneous Read/Write Flash Memo
AM29DL800BB120ED 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AM29DL800BB-120WBD 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 8Mbit 1M/512K x 8bit/16bit 120ns 48-Pin FBGA
AM29DL800BB-70SI 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 8MBIT 1MX8/512KX16 70NS 44SOIC - Trays
AM29DL800BB-90EI 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 8Mbit 1M/512K x 8bit/16bit 90ns 48-Pin TSOP
AM29DL800BT-120EC 制造商:Spansion 功能描述:SPZAM29DL800BT-120EC TB 120n EOL160610
AM29DL800BT-120WBC 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
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