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參數(shù)資料
| 型號： | Am29PDS322DT10 |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 32 Megabit (2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only (1.8 V to 2.2 V) Simultaneous Read/Write Page-Mode Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（2米× 16位），1.8伏的CMOS只（1.8伏至2.2 V）同步讀/寫頁模式引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 35/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 839K |
| 代理商： | AM29PDS322DT10 |
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34
Am29PDS322D
August 7, 2002
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
TEST CONDITIONS
Table 12.
Test Specifications
KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
C
L
Device
Under
Test
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Figure 13.
Test Setup
Test Condition
10
12
Unit
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0
–
2.0 V
V
Input timing measurement
reference levels
1.0
V
Output timing measurement
reference levels
1.0
V
KS000010-PAL
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don
’
t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
V
CC
0.0 V
1.0 V
Output
Measurement Level
Input
0.5 V
CC
Figure 14.
Input Waveforms and Measurement Levels
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Am29PDS322DB10 | 32 Megabit (2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only (1.8 V to 2.2 V) Simultaneous Read/Write Page-Mode Boot Sector Flash Memory |
| Am29PDS322DB12 | 32 Megabit (2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only (1.8 V to 2.2 V) Simultaneous Read/Write Page-Mode Boot Sector Flash Memory |
| Am29PDS322DT12 | 32 Megabit (2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only (1.8 V to 2.2 V) Simultaneous Read/Write Page-Mode Boot Sector Flash Memory |
| AM29PL160CB90EI | High Speed CMOS Logic 8-Bit Universal Shift Register with 3-State Outputs 20-CDIP -55 to 125 |
| AM29PL160CB-120 | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only High Performance Page Mode Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29PL141BXA | 制造商:AMD 功能描述:* |
| AM29PL141DC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:USER PROGRAMMABLE SPECIAL FUNCTION ASIC, 28 Pin, DIP |
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