- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄366528 > Am29PDS322DT10 (Advanced Micro Devices, Inc.) 32 Megabit (2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only (1.8 V to 2.2 V) Simultaneous Read/Write Page-Mode Boot Sector Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | Am29PDS322DT10 |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 32 Megabit (2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only (1.8 V to 2.2 V) Simultaneous Read/Write Page-Mode Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（2米× 16位），1.8伏的CMOS只（1.8伏至2.2 V）同步讀/寫頁模式引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 36/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 839K |
| 代理商： | AM29PDS322DT10 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁當(dāng)前第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁
August 7, 2002
Am29PDS322D
35
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
AC CHARACTERISTICS
Read-Only Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See Figure 13 and Table 12 for test specifications.
3. Measurements performed by placing a 50
termination on the data pin with a bias of V
CC
/2. The time from OE# high to the
data bus driven to V
CC
/2 is taken as t
DF
.
Parameter
Description
Test Setup
Speed Option
JEDEC
Std
10
12
Unit
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time (Note 1)
Min
100
120
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CE#, OE# = V
IL
Max
100
120
ns
t
PRC
Page Read Cycle
Min
40
50
ns
t
PACC
Page Address to Output Delay
CE#, OE# = V
IL
Max
40
50
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable to Output Delay
OE# = V
IL
Max
100
120
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
Max
35
50
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High Z (Notes 1, 3)
Max
16
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High Z (Notes 1, 3)
Max
16
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses, CE# or OE#,
Whichever Occurs First
Min
0
ns
t
OEH
Output Enable Hold
Time (Note 1)
Read
Min
0
ns
Toggle and
Data# Polling
Min
10
ns
t
OH
t
CE
Outputs
WE#
Addresses
CE#
OE#
HIGH Z
Output Valid
HIGH Z
Addresses Stable
t
ACC
t
RC
t
OEH
t
RH
t
OE
t
RH
0 V
RY/BY#
RESET#
t
DF
Figure 15.
Conventional Read Operation Timings
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Am29PDS322DB10 | 32 Megabit (2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only (1.8 V to 2.2 V) Simultaneous Read/Write Page-Mode Boot Sector Flash Memory |
| Am29PDS322DB12 | 32 Megabit (2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only (1.8 V to 2.2 V) Simultaneous Read/Write Page-Mode Boot Sector Flash Memory |
| Am29PDS322DT12 | 32 Megabit (2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only (1.8 V to 2.2 V) Simultaneous Read/Write Page-Mode Boot Sector Flash Memory |
| AM29PL160CB90EI | High Speed CMOS Logic 8-Bit Universal Shift Register with 3-State Outputs 20-CDIP -55 to 125 |
| AM29PL160CB-120 | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only High Performance Page Mode Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29PL141BXA | 制造商:AMD 功能描述:* |
| AM29PL141DC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:USER PROGRAMMABLE SPECIAL FUNCTION ASIC, 28 Pin, DIP |
| AM29PL160CB-90SF | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29PL160CB-90SI | 制造商:SOCO 功能描述: |
| AM29SL160CT-100EIN | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。