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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29SL400CB100RED |
| 廠(chǎng)商： | SPANSION LLC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | High Speed CMOS Logic 12-Stage Binary Counter 16-CDIP -55 to 125 |
| 中文描述： | 256K X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| 封裝： | LEAD FREE, MO-142DD, TSOP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 38/44頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 945K |
| 代理商： | AM29SL400CB100RED |
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36
March 3, 2005
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
AC Characteristics
Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations
Notes:
1.
Not 100% tested.
2.
See the
Erase and Programming Performance on
page 38
section for more information.
Parameter
Description
Speed Options
JEDEC
Std
-100R
-110
-120
-150
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
100
110
120
150
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
50
55
60
70
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
50
55
60
70
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
50
55
60
70
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation
(Notes 1, 2)
Byte
Typ
10
μs
Word
Typ
12
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Notes 1, 2)
Typ
2
sec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29SL400CB100REF | High Speed CMOS Logic 12-Stage Binary Counter 16-CDIP -55 to 125 |
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| AM29SL400CB110WAD | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory |
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