參數(shù)資料
型號(hào)： AO4914
廠商： ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 8000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： GREEN, SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大小： 650K
代理商： AO4914
AO4914
Q1: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
2
4
6
8
10
0
3
6
9
12
15
V
G
S
(V
o
lt
s
)
Q
g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
0
300
600
900
1200
1500
0
5
10
15
20
25
30
C
a
p
a
c
it
a
n
c
e
(p
F
)
V
DS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS=15V
I
D=8A
1
10
100
1000
0.00001
0.001
0.1
10
1000
P
o
w
e
r
(W
)
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-
T
A=25°C
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
0.01
0.1
1
10
100
I D
(A
m
p
s
)
V
DS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased
10
s
10s
1ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)=150°C
T
A=25°C
100
s
10ms
0
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8
10
0
3
6
9
12
15
V
G
S
(V
o
lt
s
)
Q
g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
0
300
600
900
1200
1500
0
5
10
15
20
25
30
C
a
p
a
c
it
a
n
c
e
(p
F
)
V
DS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS=15V
I
D=8A
1
10
100
1000
0.00001
0.001
0.1
10
1000
P
o
w
e
r
(W
)
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-
to-Ambient (Note F)
T
A=25°C
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
0.01
0.1
1
10
100
I D
(A
m
p
s
)
V
DS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased
Safe Operating Area (Note F)
10
s
10s
1ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)=150°C
T
A=25°C
100
s
10ms
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Z
θθθθ
J
A
N
o
rm
a
li
ze
d
T
ra
n
s
ie
n
t
T
h
e
rm
a
l
R
e
s
is
ta
n
c
e
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
D=T
on/T
T
J,PK=TA+PDM.Z
θJA.RθJA
RθJA=90°C/W
T
on
T
P
D
Single Pulse
Rev 11: Mar. 2011
www.aosmd.com
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
AOD452A 55 A, 25 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
AOL1412 85 A, 30 V, 0.0046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AOL1448 36 A, 30 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AON6428 43 A, 30 V, 0.0145 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AON7406 25 A, 30 V, 0.017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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AO4914_11 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V Dual N-Channel MOSFET with Schottky Diode
AO4914A 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO4914AL 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO4914L 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20.5 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:865pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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