參數資料
型號： AO4914
廠商： ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 8000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： GREEN, SOIC-8
文件頁數： 8/9頁
文件大?。?/td> 650K
代理商： AO4914
AO4914
Q2: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
2
4
6
8
10
0
3
6
9
12
15
V
G
S
(V
o
lt
s
)
Q
g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
0
200
400
600
800
1000
1200
0
5
10
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20
25
30
C
a
p
a
c
it
a
n
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e
(p
F
)
V
DS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS=15V
I
D=8A
1
10
100
1000
0.00001
0.001
0.1
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P
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w
e
r
(W
)
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-
T
A=25°C
0.0
0.1
1.0
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0.01
0.1
1
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-I
D
(A
m
p
s
)
-V
DS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
10
s
10s
1ms
DC
R
DS(ON)
T
J(Max)=150°C
T
A=25°C
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10ms
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V
G
S
(V
o
lt
s
)
Q
g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
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400
600
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C
a
p
a
c
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a
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(p
F
)
V
DS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS=15V
I
D=8A
1
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1000
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P
o
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(W
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Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-
to-Ambient (Note F)
T
A=25°C
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
0.01
0.1
1
10
100
-I
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(A
m
p
s
)
-V
DS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
10
s
10s
1ms
DC
R
DS(ON)
T
J(Max)=150°C
T
A=25°C
100
s
10ms
0.001
0.01
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Z
θθθθ
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A
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n
t
T
h
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l
R
e
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is
ta
n
c
e
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
D=T
on/T
T
J,PK=TA+PDM.Z
θJA.RθJA
RθJA=90°C/W
T
on
T
P
D
Rev 11: Mar. 2011
www.aosmd.com
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相關PDF資料
PDF描述
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AOL1448 36 A, 30 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AON6428 43 A, 30 V, 0.0145 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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