參數(shù)資料
型號(hào)： AP9T18GEH
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 40 A, 20 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 126K
代理商： AP9T18GEH
Electrical Characteristics@Tj=25
oC(unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ. Max. Units
BVDSS
Drain-Source Breakdown Voltage
VGS=0V, ID=250uA
20
-
V
ΔBV
DSS/ΔTj
Breakdown Voltage Temperature Coefficient
Reference to 25℃, ID=1mA
-
0.02
-
V/℃
RDS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
VGS=4.5V, ID=20A
-
14
mΩ
VGS=2.5V, ID=10A
-
28
mΩ
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VDS=VGS, ID=250uA
0.4
-
1.5
V
gfs
Forward Transconductance
VDS=5V, ID=20A
-
20
-
S
IDSS
Drain-Source Leakage Current (Tj=25
oC)
VDS=20V, VGS=0V
-
1
uA
Drain-Source Leakage Current (Tj=150
oC)
VDS=16V ,VGS=0V
-
25
uA
IGSS
Gate-Source Leakage
VGS=±12V
-
±30
uA
Qg
Total Gate Charge
2
ID=20A
-
16
26
nC
Qgs
Gate-Source Charge
VDS=16V
-
2
-
nC
Qgd
Gate-Drain ("Miller") Charge
VGS=4.5V
-
6
-
nC
td(on)
Turn-on Delay Time
2
VDS=10V
-
8
-
ns
tr
Rise Time
ID=20A
-
84
-
ns
td(off)
Turn-off Delay Time
RG=1.0Ω,VGS=5V
-
19
-
ns
tf
Fall Time
RD=0.5Ω
-14
-
ns
Ciss
Input Capacitance
VGS=0V
-
1080 1730
pF
Coss
Output Capacitance
VDS=20V
-
205
-
pF
Crss
Reverse Transfer Capacitance
f=1.0MHz
-
145
-
pF
Rg
Gate Resistance
f=1.0MHz
-
3.6
5.4
Source-Drain Diode
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ. Max. Units
VSD
Forward On Voltage
2
IS=20A, VGS=0V
-
1.2
V
trr
Reverse Recovery Time
2
IS=20A, VGS=0V,
-
26
-
ns
Qrr
Reverse Recovery Charge
dI/dt=100A/s
-
19
-
nC
Notes:
1.Pulse width limited by safe operating area.
2.Pulse width <300us , duty cycle <2%.
2/4
AP9T18GEH/J
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AP9U18GH 37 A, 20 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
APL1001P 18 A, 1000 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APL501J 43 A, 500 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APL502B2 58 A, 500 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APL502L 58 A, 500 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AP9T18GEJ 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive
AP9T18GH 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9T19GJ 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:Low Gate Charge, Capable of 2.5V gate drive
AP9U18GH 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
APA 制造商:OMRON Industrial Automation 功能描述:TERMINAL ENCLOSE SIDEMNT RESIN 制造商:OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION 功能描述:Switch Access Snap Action Switch Terminal Cover
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*