參數(shù)資料
型號： AP9T18GEH
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 40 A, 20 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 126K
代理商： AP9T18GEH
AP9T18GEH/J
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristic of
Fig 6. On-Resistance vs.
Reverse Diode
Drain Current
3/4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
25
50
75
100
125
150
T j , Junction Temperature (
o C)
N
ormalize
dR
DS(ON)
I D =20A
V G =4.5V
0
20
40
60
80
100
120
01
23
45
67
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I D
,Dr
ai
n
C
u
rr
ent
(A
)
T C =25
o C
5.0V
4.5V
3.5V
2.5V
V G =1.5V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0123
4567
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I D
,Dr
ai
n
C
u
rr
ent
(A
)
T C = 150
o C
5.0V
4.5V
3.5V
2.5V
V G =1.5V
0
4
8
12
16
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
I S
(A
)
T j =25
o C
T j =150
o C
10
20
30
40
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
R
DS(ON)
(m
Ω
)
I D =10 A
T C =25
o C
0.0
10.0
20.0
30.0
40.0
0
10203040506070
I D , Drain Current (A)
R
DS(ON)
(m
)
V GS =4.5V
V GS =2.5V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AP9U18GH 37 A, 20 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
APL1001P 18 A, 1000 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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