參數(shù)資料
型號： APT33N90JCU3
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 33 A, 900 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 136K
代理商： APT33N90JCU3
APT33N90JCU3
APT
33N90JCU3
–
Rev
0
August,
2009
www.microsemi.com
2 – 6
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VGS = 0V,VDS = 900V
Tj = 25°C
100
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current
VGS = 0V,VDS = 900V
Tj = 125°C
500
A
RDS(on)
Drain – Source on Resistance
VGS = 10V, ID = 26A
100
120
m
Ω
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VGS = VDS, ID = 3mA
2.5
3
3.5
V
IGSS
Gate – Source Leakage Current
VGS = ±20 V, VDS = 0V
100
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Ciss
Input Capacitance
6.8
Coss
Output Capacitance
VGS = 0V ; VDS = 100V
f = 1MHz
0.33
nF
Qg
Total gate Charge
270
Qgs
Gate – Source Charge
32
Qgd
Gate – Drain Charge
VGS = 10V
VBus = 400V
ID = 26A
115
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
70
Tr
Rise Time
20
Td(off)
Turn-off Delay Time
400
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGS = 10V
VBus = 600V
ID = 26A
RG = 7.5Ω
25
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
1.5
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive switching @ 25°C
VGS = 10V ; VBus = 600V
ID = 26A ; RG = 7.5Ω
0.75
mJ
Eon
Turn-on Switching Energy
2.1
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive switching @ 125°C
VGS = 10V ; VBus = 600V
ID = 26A ; RG = 7.5Ω
0.85
mJ
Chopper diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
100
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
500
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
30
A
IF = 30A
2.6
3.1
IF = 60A
3.2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 30A
Tj = 125°C
1.8
V
Tj = 25°C
300
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
380
ns
Tj = 25°C
360
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 30A
VR = 800V
di/dt=200A/s
Tj = 125°C
1700
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT34N80B2C3 34 A, 800 V, 0.145 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT34N80LC3 34 A, 800 V, 0.145 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT3520BN-BUTT 26 A, 350 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT4020BN-BUTT 26 A, 400 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT4020BN-GULLWING 26 A, 400 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT-34AT 制造商:Atlas Sound 功能描述:HRN PG RN T72/30W BI-DIR GRY
APT34F100B2 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT34F100B2_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel FREDFET
APT34F100L 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 35A TO264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT34F60B 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*