參數(shù)資料
型號(hào)： APT33N90JCU3
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 33 A, 900 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 136K
代理商： APT33N90JCU3
APT33N90JCU3
APT
33N90JCU3
–
Rev
0
August,
2009
www.microsemi.com
3 – 6
Thermal and package characteristics
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
CoolMOS
0.43
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
Diode
1.05
RthJA
Junction to Ambient (IGBT & Diode)
20
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ,TSTG
Storage Temperature Range
-40
150
TL
Max Lead Temp for Soldering:0.063” from case for 10 sec
300
°C
Torque
Mounting torque (Mounting = 8-32 or 4mm Machine and terminals = 4mm Machine)
1.5
N.m
Wt
Package Weight
29.2
g
SOT-227 (ISOTOP
) Package Outline
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
Hex Nut M4
(4 places)
0.75 (.030)
0.85 (.033)
12.6 (.496)
12.8 (.504)
25.2 (0.992)
25.4 (1.000)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*
r = 4.0 (.157)
(2 places)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
(2 places)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4 places)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
Emitter terminals are shorted
internally. Current handling
capability is equal for either
Emitter terminal.
Typical CoolMOS performance Curve
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
50
100
150
200
250
10
12.5
15
17.5
20
22.5
25
ID, Drain Current (A)
Fre
q
ue
nc
y
(
k
H
z
)
Operating Frequency vs Drain Current
VDS=600V
D=50%
RG=7.5
TJ=125°C
TC=75°C
Switching Energy vs Current
Eon
Eoff
0
1
2
3
4
5
10
1520
2530
3540
ID, Drain Current (A)
Eo
n
an
d
Eof
f(mJ
)
VDS=600V
RG=7.5
TJ=125°C
L=100H
ON resistance vs Temperature
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
25
50
75
100
125
150
TJ, Junction Temperature (°C)
R
D
S
(on)
,Dra
in
to
S
o
ur
ce
ON
r
esi
stan
ce
(N
o
rma
li
ze
d)
Switching Energy vs Gate Resistance
Eon
Eoff
0
1
2
3
4
5
1015
20
2530
35
Gate Resistance (Ohms)
Sw
it
c
h
ing
En
e
rgy
(m
J)
VDS=600V
ID=26A
TJ=125°C
L=100H
Source
Gate
Drain
Anode
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PDF描述
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