參數(shù)資料
型號： APTGV50H120BTPG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP6-P, MODULE-21
文件頁數(shù)： 11/13頁
文件大?。?/td> 426K
代理商： APTGV50H120BTPG
APTGV50H120BTPG
A
P
TG
V50H
120
BTPG
–
R
ev
0
Se
pte
m
be
r,
2007
www.microsemi.com
7-13
5. Package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150*
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To heatsink
M6
2.5
4.7
N.m
Wt
Package Weight
250
g
* Tj=175°C for Trench & Field Stop IGBT
6. SP6-P Package outline (dimensions in mm)
9places (3:1)
ALL DIMENSIONS MARKED " * " ARE TOLERENCED AS :
See application note 1902 - Mounting Instructions for SP6-P (12mm) Power Modules on www.microsemi.com
7. Full bridge top switches curves
7.1 Top Trench + Field Stop IGBT typical performance curves
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
100
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
VCE (V)
I C
(A)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=17V
VGE=9V
0
20
40
60
80
100
0123
4
VCE (V)
I C
(A)
TJ = 125°C
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PDF描述
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參數(shù)描述
APTGV50H120T3G 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:NPT & Trench + Field Stop® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGV50H60BG 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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