參數(shù)資料
型號(hào)： APTGV50H120BTPG
廠(chǎng)商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP6-P, MODULE-21
文件頁(yè)數(shù)： 7/13頁(yè)
文件大?。?/td> 426K
代理商： APTGV50H120BTPG
APTGV50H120BTPG
A
P
TG
V50H
120
BTPG
–
R
ev
0
Se
pte
m
be
r,
2007
www.microsemi.com
3-13
1.2 Top fast diode characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
100
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
500
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
60
A
IF = 60A
2.5
3
IF = 120A
3
VF
Diode Forward Voltage
IF = 60A
Tj = 125°C
1.8
V
Tj = 25°C
265
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
350
ns
Tj = 25°C
560
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 60A
VR = 800V
di/dt =200A/s
Tj = 125°C
2890
nC
RthJC
Junction to Case Thermal resistance
0.9
°C/W
2. Full bridge bottom switches
2.1 Bottom Fast NPT IGBT characteristics
Absolute maximum ratings
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Tj = 25°C
250
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 1200V
Tj = 125°C
500
A
Tj = 25°C
3.2
3.7
VCE(sat)
Collector Emitter saturation Voltage
VGE =15V
IC = 50A
Tj = 125°C
4.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 1 mA
4.5
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20 V, VCE = 0V
100
nA
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
Tc = 25°C
70
IC
Continuous Collector Current
Tc = 80°C
50
ICM
Pulsed Collector Current
Tc = 25°C
150
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
Tc = 25°C
312
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 150°C
100A @ 1200V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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