參數(shù)資料
型號： APTGV50H120BTPG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP6-P, MODULE-21
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大?。?/td> 426K
代理商： APTGV50H120BTPG
APTGV50H120BTPG
A
P
TG
V50H
120
BTPG
–
R
ev
0
Se
pte
m
be
r,
2007
www.microsemi.com
11 - 13
Cies
Cres
Coes
100
1000
10000
0
10
20
304050
C,
Capaci
tance
(pF)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Therm
al
I
m
pedance
(°
C/W)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
20
40
60
80
100
120
10
20
30
40
50
60
IC, Collector Current (A)
Operating Frequency vs Collector Current
Fm
ax,
Operati
n
g
Frequen
cy
(kH
z)
VCE = 600V
D = 50%
RG = 5
TJ = 125°C
TC= 75°C
8.2 Bottom diode typical performance curves
T
J=25°C
T
J=125°C
0
20
40
60
80
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
F, Anode to Cathode Voltage (V)
I F
,Fo
rw
ar
d
C
u
rr
en
t
(A
)
Forw ard Current vs Forw ard Voltage
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
al
Im
pe
da
nc
e(°
C
/W
)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
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PDF描述
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