參數(shù)資料
型號： APTGV50H60BG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP4, MODULE-21
文件頁數(shù)： 13/15頁
文件大?。?/td> 437K
代理商： APTGV50H60BG
APTGV50H60BG
A
P
TG
V50H
60BG
–
R
ev
0
Septe
m
be
r,
2007
www.microsemi.com
7-15
6. Full bridge top switches curves
6.1 Top Trench + Field Stop IGBT typical performance curves
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
20
40
60
80
100
00.5
11.5
22.5
3
VCE (V)
I C
(A)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=19V
VGE=9V
0
20
40
60
80
100
00.5
11.5
22.5
3
3.5
VCE (V)
I C
(A)
TJ = 150°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
20
40
60
80
100
5678
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
2040
6080
100
IC (A)
E
(
m
J)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 8.2
TJ = 150°C
Eon
Eoff
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
5
15
253545
55
65
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 50A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
25
50
75
100
125
0
100 200 300 400 500 600 700
VCE (V)
I C
(A)
VGE=15V
TJ=150°C
RG=8.2
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
Thermal
Im
peda
nce
(
°C
/W
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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AS-4.194304-S-FUND-SMD-H3-T QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 4.194304 MHz
AS-27.000-S-3OT-SMD-H3-T QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 27 MHz
AS-5.0688-S-FUND-SMD-T QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 5.0688 MHz
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