參數(shù)資料
型號： APTGV50H60BG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP4, MODULE-21
文件頁數(shù)： 4/15頁
文件大?。?/td> 437K
代理商： APTGV50H60BG
APTGV50H60BG
A
P
TG
V50H
60BG
–
R
ev
0
Septe
m
be
r,
2007
www.microsemi.com
12 - 15
8. Boost chopper switch curves
8.1 CoolMOS typical performance curves
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
erm
al
I
m
p
edance
(°
C
/W)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
4V
4.5V
5V
5.5V
6V
6.5V
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
0
5
10
15
20
25
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Dr
ai
n
Cu
rr
en
t
(A
)
VGS=15&10V
Low Voltage Output Characteristics
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
100
120
140
01
23
45
67
VGS, Gate to Source Voltage (V)
I D
,Dra
in
Cu
rre
n
t
(A)
VDS > ID(on)xRDS(on)MAX
250s pulse test @ < 0.5 duty cycle
RDS(on) vs Drain Current
VGS=10V
VGS=20V
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
1.2
1.25
1.3
0
20
40
60
80
100 120 140
ID, Drain Current (A)
R
DS
(o
n)
Drai
n
to
S
our
ce
ON
R
esi
stance
Normalized to
VGS=10V @ 50A
0
10
20
30
40
50
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
I D
,DC
Dr
ai
n
Cu
rr
en
t
(A)
DC Drain Current vs Case Temperature
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PDF描述
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