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參數(shù)資料
| 型號： | APTGV50H60BG |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SP4, MODULE-21 |
| 文件頁數(shù)： | 2/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 437K |
| 代理商： | APTGV50H60BG |
APTGV50H60BG
A
P
TG
V50H
60BG
–
R
ev
0
Septe
m
be
r,
2007
www.microsemi.com
10 - 15
VGE = 15V
20
30
40
50
60
0
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
td(o
n),
T
u
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De
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Ti
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(ns)
Turn-On Delay Time vs Collector Current
Tj = 125°C
VCE = 400V
RG = 2.7
VGE=15V,
TJ=25°C
VGE=15V,
TJ=125°C
50
75
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150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
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(n
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Turn-Off Delay Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 2.7
VGE=15V,
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
60
0
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tr,
Ri
se
Ti
m
e(ns)
Current Rise Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 2.7
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
10
20
30
40
50
60
0
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tf
,Fa
ll
T
im
e(
n
s)
Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 400V, VGE = 15V, RG = 2.7
TJ=125°C,
VGE=15V
0
0.5
1
1.5
2
0
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
on
,T
u
rn-On
E
n
er
g
y
Loss
(mJ)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 2.7
TJ = 125°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
of
f,
Turn-o
ff
E
n
ergy
Loss
(m
J)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
VGE = 15V
RG = 2.7
Eon, 50A
Eoff, 50A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
5
10
15
20
25
Gate Resistance (Ohms)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Sw
it
chi
n
g
E
n
er
g
y
Losse
s(m
J)
VCE = 400V
VGE = 15V
TJ= 125°C
0
20
40
60
80
100
120
0
200
400
600
I C
,Col
lector
Curr
ent
(A)
Reverse Bias Safe Operating Area
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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