參數(shù)資料
型號(hào)： APTGV50H60BG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP4, MODULE-21
文件頁數(shù)： 5/15頁
文件大小： 437K
代理商： APTGV50H60BG
APTGV50H60BG
A
P
TG
V50H
60BG
–
R
ev
0
Septe
m
be
r,
2007
www.microsemi.com
13 - 15
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
25
50
75
100
125
150
TJ, Junction Temperature (°C)
Breakdown Voltage vs Temperature
BV
DS
S,
D
ra
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o
Sourc
e
B
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V
o
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o
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ON resistance vs Temperature
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0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
25
50
75
100
125
150
TJ, Junction Temperature (°C)
R
DS
(o
n
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to
S
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rce
O
N
re
si
sta
n
ce
(Nor
m
al
iz
ed
)
VGS=10V
ID= 50A
Threshold Voltage vs Temperature
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
V
GS
(T
H
),
T
h
re
sh
o
ld
Vo
lt
ag
e
(N
ormali
zed
)
Maximum Safe Operating Area
10 ms
1 ms
100 s
1
10
100
1000
1
10
100
1000
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rr
en
t
(A)
limited by RDSon
Single pulse
TJ=150°C
TC=25°C
Ciss
Crss
Coss
10
100
1000
10000
100000
0
1020
3040
50
VDS, Drain to Source Voltage (V)
C
,C
apa
ci
ta
nce
(
pF)
Capacitance vs Drain to Source Voltage
VDS=120V
VDS=300V
VDS=480V
0
2
4
6
8
10
12
0
20
40 60 80 100 120 140 160
Gate Charge (nC)
V
GS
,Gate
to
S
o
u
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V
o
lt
ag
e(V
)
Gate Charge vs Gate to Source Voltage
ID=50A
TJ=25°C
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