參數(shù)資料
型號： AUIRFS3006-7P
元件分類： JFETs
英文描述： 240 A, 60 V, 0.0021 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263CB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-7
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大?。?/td> 239K
代理商： AUIRFS3006-7P
AUIRFS3006-7P
6
www.irf.com
Fig. 17 - Typical Recovery Current vs. dif/dt
Fig 16. Threshold Voltage vs. Temperature
Fig. 19 - Typical Stored Charge vs. dif/dt
Fig. 18 - Typical Recovery Current vs. dif/dt
Fig. 20 - Typical Stored Charge vs. dif/dt
-75 -50 -25 0
25 50 75 100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V
G
S
(t
h)
,G
at
e
th
re
sh
ol
d
V
ol
ta
ge
(V
)
ID = 250μA
ID = 1.0mA
ID = 1.0A
0
200
400
600
800
1000
1200
diF /dt (A/μs)
0
4
8
12
16
20
I R
R
(A
)
IF = 112A
VR = 51V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
200
400
600
800
1000
1200
diF /dt (A/μs)
0
4
8
12
16
20
I R
R
(A
)
IF = 168A
VR = 51V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
200
400
600
800
1000
1200
diF /dt (A/μs)
0
100
200
300
400
500
600
Q
R
(A
)
IF = 112A
VR = 51V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
200
400
600
800
1000
1200
diF /dt (A/μs)
0
100
200
300
400
500
600
Q
R
(A
)
IF = 168A
VR = 51V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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AUIRGP50B60PD1 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AC
AVT-51663-BLKG 0 MHz - 6000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
AVT-51663-TR1G 0 MHz - 6000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
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AUIRFS3006-7TRR 功能描述:MOSFET 60V 293A 2.1 mOhm Automotive MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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AUIRFS3006TRR 功能描述:MOSFET 60V 270A 2.5 mOhm Automotive MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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