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B82464G2153M

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  • B82464G2153M
    B82464G2153M

    B82464G2153M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • EPCOS (TDK)

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • B82464G2153M000
    B82464G2153M000

    B82464G2153M000

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • EPCOS

  • SMD

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B82464G2153M PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • TDK Epcos
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 10X10(LOW) 15 UH 1,7 A - Tape and Reel
  • 制造商
  • TDK Epcos
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 10X10 15UH 1.7A
B82464G2153M 技術參數(shù)
  • B82464G2152M 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:- 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):- 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.118"(3.00mm) 標準包裝:1,250 B82464G2122M 功能描述:1.2μH Shielded Wirewound Inductor 5.6A 9 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.2μH 容差:±20% 額定電流:5.6A 電流 - 飽和值:6.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):9 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.118"(3.00mm) 標準包裝:1,250 B82464G2104M 功能描述:100μH Shielded Wirewound Inductor 750mA 530 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:100μH 容差:±20% 額定電流:750mA 電流 - 飽和值:730mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):530 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.118"(3.00mm) 標準包裝:1,250 B82464G2103M 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 2.25A 62 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:2.25A 電流 - 飽和值:2.25A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):62 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.118"(3.00mm) 標準包裝:1,250 B82464G2102M 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:- 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):- 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.118"(3.00mm) 標準包裝:1,250 B82464G2392M B82464G2472M B82464G2473M B82464G2474M B82464G2682M B82464G2683M B82464G2752M B82464G2821M B82464G4102M B82464G4103M B82464G4104M B82464G4105M B82464G4152M B82464G4153M B82464G4154M B82464G4222M B82464G4223M B82464G4224M
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