參數(shù)資料
型號(hào)： BFQ34
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN 4 GHz wideband transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-122A, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 73K
代理商： BFQ34
September 1995
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 4 GHz wideband transistor
BFQ34
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
65
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
DC collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
open base
open collector
25
18
2
150
2.7
150
200
V
V
V
mA
W
°
C
°
C
up to T
c
= 160
°
C
SYMBOL
PARAMETER
THERMAL RESISTANCE
R
th j-c
thermal resistance from junction to case
15 K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFQ38S TRANSISTOR | BJT | PNP | 250V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39
BFT79 Bipolar PNP Device
BFQ57 TRANSISTOR | BJT | NPN | 35MA I(C) | TO-120
BFQ58 TRANSISTOR | BJT | NPN | 30MA I(C) | SOT-173
BFQ59 TRANSISTOR | BJT | NPN | 35MA I(C) | TO-120
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BFQ34/01/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND
BFQ34/1 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 RF Bipolar Module RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BFQ35 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-39
BFQ36 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 250V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-39
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