參數(shù)資料
型號(hào)： BS170KL-TR1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
中文描述： N通道60 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 49K
代理商： BS170KL-TR1
April 1995
2
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel vertical D-MOS transistor
BS170
DESCRIPTION
N-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor in TO-92
variant envelope and intended for use
in relay, high-speed and
line-transformer drivers.
FEATURES
Very low R
DS(on)
.
Direct interface to C-MOS, TTL,
etc.
High-speed switching.
No secondary breakdown.
PINNING - TO-92 VARIANT
1 = source
2 = gate
3 = drain
QUICK REFERENCE DATA
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current (DC)
Total power dissipation up to T
amb
= 25
°
C
Junction temperature
Drain-source ON-resistance
V
GS
= 10 V; I
D
= 200 mA
V
DS
V
GS
I
D
P
tot
T
j
max.
max.
max.
max.
max.
60 V
15 V
500 mA
830 mW
150
°
C
R
DS(on)
max.
5
PIN CONFIGURATION
Fig.1 Simplified outline and symbol.
Note:
Various pin configurations available.
handbook, halfpage
1
3
2
MAM146
s
d
g
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BS170 DMOS Transistors (N-Channel)
BS62XV1024 Automotive Rectifier Diodes
BSA21 Automotive Rectifier Diodes
BSFC-SERIES Automotive Rectifier Diodes
BSFZ-SERIES Automotive Rectifier Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BS170L 制造商:CALOGIC 制造商全稱:CALOGIC 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistor
BS170P 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BS170P 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N E-LINE
BS170PSTOA 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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