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參數(shù)資料
| 型號： | BS62XV1024 |
| 英文描述： | Automotive Rectifier Diodes |
| 中文描述： | 極低的功率/電壓CMOS SRAM的128K的× 8位（608.41十一） |
| 文件頁數(shù)： | 15/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 608K |
| 代理商： | BS62XV1024 |
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15
2-
Revision 1.0
March 2000
R0201-BS62UV1024
READ CYCLE3
(1,4)
READ CYCLE2
(1,3,4)
NOTES:
1. WE is high for read Cycle.
2. Device is continuously selected when CE1 = V
IL
and CE2= V
IH.
3. Address valid prior to or coincident with CE1 transition low and/or CE2 transition high.
4. OE = V
IL
.
5. Transition is measured 500mV from steady state with C
L
= 5pF as shown in Figure 1B.
The parameter is guaranteed but not 100% tested.
BSI
!
SWITCHING WAVEFORMS (READ CYCLE)
READ CYCLE1
(1,2,4)
t
RC
t
OH
t
AA
D
OUT
ADDRESS
t
OH
t
CLZ
t
CHZ
(5)
D
OUT
CE2
CE1
(5)
t
ACS2
t
ACS1
t
OH
t
RC
t
OE
t
CLZ2
t
CHZ
(2,5)
D
OUT
CE2
CE1
OE
ADDRESS
(5)
t
CLZ1
(5)
t
ACS1
t
ACS2
t
CHZ
(1,5)
t
OHZ
(5)
t
OLZ
t
AA
BS62UV1024
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSA21 | Automotive Rectifier Diodes |
| BSFC-SERIES | Automotive Rectifier Diodes |
| BSFZ-SERIES | Automotive Rectifier Diodes |
| BSH102 | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| BSH104 | N-channel enhancement mode MOS transistor |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BS-632-1 | 制造商:PennEngineering (PEM) 功能描述: |
| BS6322 | 制造商:n/a 功能描述:Ships in 2 days |
| BS-632-2 | 制造商:PennEngineering (PEM) 功能描述: |
| BS640GBC3V | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:64 Megabit (4 M x 16-Bit), 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory |
| BS640GBC4V | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:64 Megabit (4 M x 16-Bit), 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory |
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