參數(shù)資料
型號(hào)： BSN20W
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 80 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： BSN20W
2000 Mar 10
5
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
BSN20W
Fig.6
Drain-source on-state resistance as a
function of drain current; typical values.
T
j
= 25
°
C.
(1) V
GS
= 2.5 V.
(2) V
GS
= 5 V.
(3) V
GS
= 10 V.
handbook, halfpage
0
16
8
MDA163
1
(1)
(2)
(3)
10
RDSon
(
)
ID (mA)
10
2
10
3
Fig.7
Drain-source on-state resistance as a
function of gate-source voltage; typical
values.
V
DS
= 0.1 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
RDSon
(
)
0
2
10
60
20
0
40
4
VGS (V)
6
8
MDA162
Fig.8
Temperature coefficient of gate-source
threshold voltage.
Typical V
GSth
at 1 mA.
k
V
at T
j
GSth
at 25
°
C
V
=
handbook, halfpage
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
50
100
150
50
k
Tj (
o
C)
MRA785
Fig.9
Temperature coefficient of drain-source
on-state resistance.
Typical R
DSon
at 100 mA / 10 V.
(1) I
D
= 10 mA; V
GS
= 2.5 V.
(2) I
D
= 100 mA; V
GS
= 10 V.
k
DSon
at T
j
DSon
at 25
°
C
R
=
handbook, halfpage
0.4
0.8
1.2
1.6
0
50
100
150
50
k
(1)
(2)
Tj (
o
C)
MRA784
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PDF描述
BSN274 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
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BSN22-M 功能描述:端子 Butt Splice NYL ins 26-22 AWG RoHS:否 制造商:AVX 產(chǎn)品:Junction Box - Wire to Wire 系列:9826 線規(guī):26-18 接線柱/接頭大小: 絕緣: 顏色:Red 型式:Female 觸點(diǎn)電鍍:Tin over Nickel 觸點(diǎn)材料:Beryllium Copper, Phosphor Bronze 端接類型:Crimp
BSN254 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors
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