參數(shù)資料
型號: BUK7830-30
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: TrenchMOS transistor Standard level FET
中文描述: 12.8 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù): 9/10頁
文件大?。?/td> 58K
代理商: BUK7830-30
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
BUK7830-30
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 0.11 g
Fig.20. SOT223 surface mounting package.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to surface mounting instructions for SOT223 envelope.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
6.7
6.3
3.1
2.9
4
1
2
3
2.3
1.05
0.85
0.80
0.60
4.6
3.7
3.3
7.3
6.7
B
A
0.10
0.02
13
16
max
1.8
max
10
max
0.32
0.24
(4x)
B
M
0.1
A
M
0.2
December 1997
9
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK7840-55 TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK9214-75B TrenchMOS logic level FET
BUK9510-30 Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 680uF; Voltage: 160V; Case Size: 25x30 mm; Packaging: Bulk
BUK9514-30 Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 680uF; Voltage: 160V; Case Size: 22x40 mm; Packaging: Bulk
BUK9514-55 Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 820uF; Voltage: 160V; Case Size: 25x35 mm; Packaging: Bulk
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK7840-55 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7880-55 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 55V SOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH 55V SOT223
BUK7880-55 /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK7880-55,135 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK7880-55/CUF 功能描述:MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.5A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):8.3W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):80 毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 標準包裝:1