參數資料
型號： BUK7830-30
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Standard level FET
中文描述： 12.8 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數： 4/10頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： BUK7830-30
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
BUK7830-30
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
10 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-07
1E-05
1E-03
1E-01
1E+01
1E+03
BUKX83
t / s
Zth j-amb / (K/W)
D =
1E+02
1E+01
1E+00
1E-01
1E-02
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
60
BUK7830-30
VDS / V
ID / A
4
4.5
5
5.5
6
6.5
8
10
12
VGS / V =
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
7830-30
VDS / V
ID / A
RDS(ON)=VDS/ID
tp = 10 us
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
DC
0
10
20
30
40
50
60
0
7830-30
ID / A
RDS(ON) / mOhm
6
VGS / V =
12
10
8
6.5
6
5
4
3
2
1
December 1997
4
Rev 1.100
相關PDF資料
PDF描述
BUK7840-55 TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK9214-75B TrenchMOS logic level FET
BUK9510-30 Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 680uF; Voltage: 160V; Case Size: 25x30 mm; Packaging: Bulk
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