參數(shù)資料
型號(hào)： BUK9840-55
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 330uF; Voltage: 160V; Case Size: 20x30 mm; Packaging: Bulk
中文描述： 5 A, 55 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SC-73, 4 PIN
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： BUK9840-55
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9840-55
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); conditions: V
DS
= 25 V; parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance, T
= 25 C
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
); I
D
= 5 A; V
GS
= 5 V
Fig.10. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
3.2
3.4
4
3.6
10
5
ID/A
VGS/V =
5
10
15
20
25
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
ID/A
gfs/S
0
5
10
15
20
25
20
30
40
50
60
70
80RDS(ON)/mOhm
VGS/V =
ID/A
5
4
3.6
3.4
3.2
3
BUK98XX-55
-100
-50
0
50
100
150
200
0.5
1
1.5
2
2.5
Tmb / degC
Rds(on) normalised to 25degC
a
0
1
2
3
4
0
5
10
15
20
ID/A
VGS/V
Tj/C =
150
25
BUK98xx-55
-100
-50
0
50
100
150
200
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Tj / C
VGS(TO) / V
max.
typ.
min.
January 1998
4
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK9880-55 Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 470uF; Voltage: 160V; Case Size: 22x30 mm; Packaging: Bulk
BUT11AF Silicon Diffused Power Transistor
BUT11AF SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
BUT11AI Silicon Diffused Power Transistor
BUT11AX Silicon Diffused Power Transistor
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參數(shù)描述
BUK9840-55 T/R 功能描述:MOSFET TAPE-7 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9840-55,115 功能描述:MOSFET TAPE-7 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9840-55/CUX 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Ta），10.7A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1400pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8.3W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 5A，5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BUK9840-55115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:N CH MOSFET TRENCH AUTOMOTIVE 55V 7A
BUK9840-55T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 10.7A I(D) | SOT-223
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