型號: | BUK9840-55 |
廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 330uF; Voltage: 160V; Case Size: 20x30 mm; Packaging: Bulk |
中文描述: | 5 A, 55 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | PLASTIC, SC-73, 4 PIN |
文件頁數(shù): | 9/9頁 |
文件大?。?/td> | 70K |
代理商: | BUK9840-55 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BUK9880-55 | Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 470uF; Voltage: 160V; Case Size: 22x30 mm; Packaging: Bulk |
BUT11AF | Silicon Diffused Power Transistor |
BUT11AF | SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) |
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BUT11AX | Silicon Diffused Power Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BUK9840-55 T/R | 功能描述:MOSFET TAPE-7 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BUK9840-55,115 | 功能描述:MOSFET TAPE-7 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BUK9840-55/CUX | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5A(Ta),10.7A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1400pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):8.3W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 5A,5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 標準包裝:1 |
BUK9840-55115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:N CH MOSFET TRENCH AUTOMOTIVE 55V 7A |
BUK9840-55T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 10.7A I(D) | SOT-223 |