參數(shù)資料
型號(hào)： BUT11AF
廠商： 永盛國(guó)際集團(tuán)
英文描述： SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
中文描述： 擴(kuò)散硅功率晶體管（一般）的說(shuō)明
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 116K
代理商： BUT11AF
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUT11AF
Fig.13. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BEsat
= f(I
B
); parameter I
C
Fig.14. Transient thermal impedance.
Z
th j-hs
= f(t); parameter D = t
p
/T
August 1997
6
Rev 1.000
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PDF描述
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