您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > C字母型號搜索 > C字母第4785頁 >

CSD17579Q5AT

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CSD17579Q5AT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

CSD17579Q5AT
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6240
TEXAS INS
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

CSD17579Q5AT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
29257
TI/德州儀器
N/A
21+
-
瑞智芯，只有原裝

CSD17579Q5AT
深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯(lián)系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
1620
TI
VSONP8
23+
-
全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫存*全網(wǎng)最低

CSD17579Q5AT
深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：2394575513590206539
地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室
16200
TI
VSON
2022+
-
原裝正品，公司現(xiàn)貨庫存假一罰十，電話：0...

CSD17579Q5AT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
Ti
(DQJ)
21
-
瑞智芯只有原裝

CSD17579Q5AT
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
60510
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 25A
22+
-

1/1頁 40條/頁共13條
1

您是不是要找： CSD17581Q3A CSD17581Q3AT CSD17581Q5A CSD17581Q5AT CSD17585F5 CSD17585F5T CSD18501Q5A CSD18502KCS CSD18502Q5B

CSD17579Q5AT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

CSD17579Q5AT PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
25A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
9.7 毫歐 @ 8A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
15.1nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
1030pF @ 15V
功率 - 最大值
3.1W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應(yīng)商器件封裝
8-VSON（5x6）
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

CSD17579Q5AT 技術(shù)參數(shù)

CSD17579Q3AT 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.2 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:998pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSONP（3x3.15）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17579Q3A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.2 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:998pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSONP（3x3.15）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17578Q5AT 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.9 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1510pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17578Q3AT 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.3 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1590pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSONP（3x3.15）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17578Q3A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.3 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1590pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSONP（3x3.15）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18502Q5BT CSD18503KCS CSD18503Q5A CSD18503Q5AT CSD18504KCS CSD18504Q5A CSD18504Q5AT CSD18509Q5B CSD18509Q5BT CSD18510KCS CSD18510KTT CSD18510KTTT CSD18510Q5B CSD18510Q5BT CSD18511KCS CSD18511KTT CSD18511KTTT CSD18511Q5A