品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDD6680 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:5
≥100 個(gè)
¥0.40
品牌:萬(wàn)代 | 型號(hào):AOD409 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:5
100-999 個(gè)
¥0.71
≥1000 個(gè)
¥0.70
≥50 個(gè)
¥1.88
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):078N12 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | ·:·
≥10 個(gè)
¥2.00
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPP034N03N | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-220
≥100 PCS
¥0.60
品牌:華晶 | 型號(hào):2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:保護(hù)器件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:硅(Si)
≥50000 個(gè)
¥0.50
品牌:ST/意法 | 型號(hào):SUP60N10-16L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 功率:150W | 電壓:100V | 電流:60A
≥1000 個(gè)
¥3.50
類型:其他IC | 品牌:FQU | 型號(hào):FQU5N60 | 功率:90% | 用途:其他 | 封裝:TO220 | 批號(hào):最新
10-999 PCS
¥1.00
≥1000 PCS
¥0.65
應(yīng)用范圍:開(kāi)關(guān) | 品牌:SLT | 型號(hào):50N06 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:180 | 集電極最大允許電流ICM:65 | 極性:NPN型 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是
≥100 PCS
¥1.25
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):SSF7509 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥100 個(gè)
¥0.20