參數(shù)資料
型號： CY7C106
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 256K x 4 Static RAM(256K x 4 靜態(tài) RAM)
中文描述： 256K × 4靜態(tài)存儲器（256K × 4靜態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 203K
代理商： CY7C106
CY7C106
CY7C1006
3
Electrical Characteristics
Over the Operating Range
(continued)
7C106-25
7C1006-25
Min.
7C106-35
Min.
Parameter
Description
Test Conditions
Max.
Max.
Unit
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
Output HIGH Voltage
V
CC
= Min., I
OH
= –4.0 mA
V
CC
= Min., I
OL
= 8.0 mA
2.4
2.4
V
Output LOW Voltage
0.4
0.4
V
Input HIGH Voltage
Input LOW Voltage
[1]
2.2
V
CC
+ 0.3
0.8
2.2
V
CC
+ 0.3
0.8
V
–0.3
–0.3
V
μ
A
μ
A
Input Load Current
GND < V
I
< V
CC
GND < V
I
< V
CC
,
Output Disabled
–1
+1
–1
+1
Output Leakage Current
–5
+5
–5
+5
I
OS
Output Short
Circuit Current
[3]
V
CC
= Max., V
OUT
= GND
–300
–300
mA
I
CC
V
CC
Operating
Supply Current
V
CC
= Max.,
I
OUT
= 0 mA,
f = f
MAX
= 1/t
RC
Max. V
CC
, CE > V
IH
,
V
IN
> V
IH
or V
IN
< V
IL
,
f = f
MAX
Max. V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
> V
CC
– 0.3V
or V
IN
< 0.3V, f=0
130
mA
I
SB1
Automatic CE
Power-Down Current
—TTL Inputs
30
25
mA
I
SB2
Automatic CE
Power-Down Current
—CMOS Inputs
Com’l
10
10
mA
L
2
2
Capacitance
[4]
Parameter
C
IN
: Addresses
C
IN
: Controls
C
OUT
Note:
4.
Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
Description
Test Conditions
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
CC
= 5.0V
Max.
7
10
10
Unit
pF
pF
pF
Input Capacitance
Output Capacitance
AC Test Loads and Waveforms
C106–3
C106–4
90%
10%
3.0V
GND
90%
10%
ALL INPUT PULSES
5V
OUTPUT
30 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
5V
OUTPUT
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
< 3 ns
< 3 ns
OUTPUT
R1 480
R1 480
R2
255
R2
255
167
Equivalent to:
THé VENIN EQUIVALENT
1.73V
相關PDF資料
PDF描述
CY7C1006 256K x 4 Static RAM(256K x4 靜態(tài) RAM)
CY7C1146V18 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1150V18-333BZXC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1150V18-333BZXI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1150V18-375BZC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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CY7C1061AV33-10BAI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1061AV33-10BAXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 16MB (1Mx16) 3.3v 10ns Fast Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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