參數(shù)資料
型號: CY7C1381C-100AC
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
中文描述: 512K X 36 STANDARD SRAM, 8.5 ns, PQFP100
封裝: 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
文件頁數(shù): 5/36頁
文件大小: 564K
代理商: CY7C1381C-100AC
CY7C1381C
CY7C1383C
Document #: 38-05238 Rev. *B
Page 5 of 36
Pin Configurations
(continued)
165-ball fBGA (3 Chip Enable)
CY7C1381C (512K x 36)
4
5
BW
B
BW
C
BW
D
BW
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
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NC
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TDI
A
2
A
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A
B
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TDO
NC / 288M
NC
DQP
C
DQ
C
DQ
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NC
NC
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D
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D
DQ
D
CE
1
CE
2
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
CE
3
CLK
V
SS
V
SS
V
SS
BWE
A
DQ
C
DQ
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MODE
NC
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C
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C
V
SS
DQ
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DQ
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DQ
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NC
DQ
D
NC / 36M
NC / 72M
GW
V
SS
V
SS
V
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SS
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SS
V
SS
V
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A
V
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NC
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A
A
V
SS
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SS
NC
TCK
A
A1
V
SS
TMS
8
9
10
A
11
NC
A
ADV
ADSC
OE
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
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DD
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DD
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SS
A
ADSP
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
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V
DDQ
A
NC / 144M
DQP
B
DQ
B
NC
DQ
B
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B
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B
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DQ
B
ZZ
NC
A
DQ
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NC
DQ
A
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NC
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DDQ
A
DQ
A
DQ
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DQP
A
A
A
A
A
CY7C1383C (1M x 18)
A0
2
A
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1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
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N
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TDO
NC / 288M
NC
NC
NC
DQP
B
NC
V
SS
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
CE
1
CE
2
V
DDQ
V
DDQ
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DDQ
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DDQ
NC
BW
A
V
SS
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CE
3
CLK
V
SS
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BW
B
NC
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DD
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A
BWE
A
NC
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MODE
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B
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NC
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NC / 36M
NC / 72M
GW
V
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A
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NC
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A
A
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NC
TDI
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TMS
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A
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A
A
ADV
ADSC
OE
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DD
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SS
A
ADSP
V
DDQ
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DDQ
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DDQ
A
NC / 144M
DQP
A
DQ
A
NC
NC
DQ
A
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ZZ
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A
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A
NC
NC
NC
A
A
A
NC
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1381C-100AI 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1383C-133AC CAP .22UF 50V POLY B SERIES
CY7C1383C-133BGC 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1381D_07 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1381D-133AXI 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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CY7C1381C-100BGCT 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
CY7C1381C-100BGI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1381C-100BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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