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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1461AV33 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 36-Mbit (1M x 36/2 M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結(jié)構(gòu)的36-Mbit (1M x 36/2 M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM) |
| 中文描述： | 36兆位（1米x 36 / 2 M中的x 18/512K × 72）流體系結(jié)構(gòu)，通過與總線延遲（帶總線延遲結(jié)構(gòu)的的36 - Mbit通過的SRAM（100萬x 36 / 2 M中的x 18/512K × 72）流的SRAM ） |
| 文件頁數(shù)： | 12/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 1141K |
| 代理商： | CY7C1461AV33 |
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CY7C1461AV33
CY7C1463AV33
CY7C1465AV33
Document #: 38-05356 Rev. *F
Page 12 of 31
Truth Table for Read/Write
[2, 9]
Function (CY7C1461AV33)
WE
BW
A
X
BW
B
X
BW
C
X
BW
D
X
Read
H
Write No bytes written
L
H
H
H
H
Write Byte A – (DQ
A
and DQP
A
)
L
L
H
H
H
Write Byte B – (DQ
B
and DQP
B
)
L
H
L
H
H
Write Byte C – (DQ
C
and DQP
C
)
L
H
H
L
H
Write Byte D – (DQ
D
and DQP
D
)
L
H
H
H
L
Write All Bytes
L
L
L
L
L
Truth Table for Read/Write
[2, 9]
Function (CY7C1463AV33)
Read
WE
H
BW
b
X
BW
a
X
Write – No Bytes Written
L
H
H
Write Byte a – (DQ
a
and
DQP
a
)
Write Byte b – (DQ
b
and
DQP
b
)
Write Both Bytes
L
H
L
L
L
H
L
L
L
Truth Table for Read/Write
[2, 9]
Function (CY7C1465AV33)
Read
WE
H
BW
x
X
Write – No Bytes Written
Write Byte X
(DQ
x
and
DQP
x)
Write All Bytes
L
H
L
L
L
All BW = L
Note:
9. Table only lists a partial listing of the byte write combinations. Any Combination of BW
X
is valid Appropriate write is done based on which byte write is active
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1463AV33 | 36-Mbit (1M x 36/2 M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結(jié)構(gòu)的36-Mbit (1M x 36/2 M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM) |
| CY7C1465AV33 | 36-Mbit (1M x 36/2 M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture(帶NoBL結(jié)構(gòu)的36-Mbit (1M x 36/2 M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM) |
| CY7C1470V25-250BZXC | ECONOLINE: RQS & RQD - 1kVDC Isolation- Internal SMD Construction- UL94V-0 Package Material- Toroidal Magnetics- Efficiency to 80% |
| CY7C1470V25-167AXC | 72-Mbit(2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1470V33-167AXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1461AV33-117AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx36 3.3V NoBL FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1461AV33-133AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx36 3.3V NoBL FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1461AV33-133AXCT | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx36 3.3V NoBL FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1461AV33-133AXI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx36 3.3V NoBL FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1461SV33-133AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 NV靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 133 MHz 3.3V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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