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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1512V18-167BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 4M X 18 QDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 2/27頁 |
| 文件大小： | 458K |
| 代理商： | CY7C1512V18-167BZXC |
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CY7C1510V18
CY7C1525V18
CY7C1512V18
CY7C1514V18
Document #: 38-05489 Rev. *D
Page 2 of 27
Logic Block Diagram (CY7C1510V18)
CLK
Gen.
A
(21:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[7:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
NWS
[1:0]
Q
[7:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
8
22
8
16
8
V
REF
W
8
A
(21:0)
22
C
C
8
4
4
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
8
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1525V18)
CLK
Gen.
A
(21:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[8:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
BWS
[0]
Q
[8:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
9
22
9
18
9
V
REF
W
9
A
(21:0)
22
C
C
9
4
4
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
9
DOFF
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1512V18-167BZXI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1512V18-200BZI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1512V18-200BZXC | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1512V18-200BZXI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1512V18-250BZI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1512V18-167BZXI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1512V18-167BZXIES | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:72-MBIT QDR-II SRAM 2-WORD BURST ARCHITECTURE 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:4MX18 72M QDR-II BURST 2 SRAM - Bulk |
| CY7C1512V18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1512V18-200BZCES | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:72-MBIT QDR-II SRAM 2-WORD BURST ARCHITECTURE 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:4MX18 72M QDR-II BURST 2 SRAM - Bulk |
| CY7C1512V18-200BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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