型號: | CY7C1512V18-167BZXC |
廠商: | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | DRAM |
英文描述: | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
中文描述: | 4M X 18 QDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
封裝: | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
文件頁數(shù): | 24/27頁 |
文件大?。?/td> | 458K |
代理商: | CY7C1512V18-167BZXC |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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CY7C1512V18-167BZXI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
CY7C1512V18-200BZI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
CY7C1512V18-200BZXC | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
CY7C1512V18-200BZXI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
CY7C1512V18-250BZI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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CY7C1512V18-167BZXI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1512V18-167BZXIES | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:72-MBIT QDR-II SRAM 2-WORD BURST ARCHITECTURE 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:4MX18 72M QDR-II BURST 2 SRAM - Bulk |
CY7C1512V18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1512V18-200BZCES | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:72-MBIT QDR-II SRAM 2-WORD BURST ARCHITECTURE 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:4MX18 72M QDR-II BURST 2 SRAM - Bulk |
CY7C1512V18-200BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |