潔凈工作臺(tái)法凈化空氣
隧道/車(chē)間概念
隧道/車(chē)間概念
完全潔凈室方法凈化空氣
溫度, 濕度及煙霧污染
潔凈室的布局
潔凈室的建設(shè)
建筑材料污染
自主創(chuàng)新榜:那跳動(dòng)的中國(guó)芯
智能大廈弱電系統(tǒng)配電模式
談弱電布線
潔凈室要素
人員產(chǎn)生的污染
工藝用水
工藝化學(xué)品污染
化學(xué)氣體污染
潔凈室的物質(zhì)與供給
潔凈室的維護(hù)
晶片表面清洗
污染顆粒怎樣去除
晶片刷洗器
高壓水清洗
晶片有機(jī)殘余物
無(wú)機(jī)殘余物
常見(jiàn)的化學(xué)清洗
晶圓氧化層的去除
室溫和氧化的化學(xué)物質(zhì)
水的沖洗
晶圓烘干技術(shù)
芯片污染檢測(cè)/總結(jié)
簡(jiǎn)易TTL與非門(mén)
六管單元TTL與非門(mén)
Verilog HDL主要能力
`define 和`undef
`ifdef、`else 和`endif
`default_nettype
芯片制造污染控制關(guān)鍵概念及術(shù)語(yǔ)
工藝良品率概述
工藝良品率測(cè)量點(diǎn)
累積晶圓生產(chǎn)良品率
晶圓生產(chǎn)良率的制約因素
晶圓生產(chǎn)良率的制約因素-工藝制程步驟的數(shù)量
硅單晶的定向
硅襯底制備工藝簡(jiǎn)介
外延工藝原理
四氯化硅氫氣還原法外延原理
外延輔助工藝
外延層質(zhì)量參數(shù)及檢測(cè)簡(jiǎn)介
有關(guān)外延層層錯(cuò)
常見(jiàn)的氧化方法及原理
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